美光DDR4內(nèi)存出樣 Hsawell-E平臺(tái)先行
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月7日 Intel今年就會(huì)推出支持DDR4內(nèi)存的Haswell-E/EP處理器，目前的問(wèn)題就是DDR4內(nèi)存的進(jìn)展了，4月初美光已經(jīng)宣布開(kāi)始量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始出樣給客戶(hù)測(cè)試了。
之前普遍預(yù)測(cè)2015-2016年=DDR4內(nèi)存才會(huì)進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用階段，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這個(gè)時(shí)間略有提前，Intel今年就會(huì)推出支持DDR4內(nèi)存的Haswell-E/EP處理器，消費(fèi)級(jí)及商業(yè)級(jí)都會(huì)有相應(yīng)的產(chǎn)品問(wèn)世。目前的問(wèn)題就是DDR4內(nèi)存的進(jìn)展了，4月初美光已經(jīng)宣布開(kāi)始量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，現(xiàn)在已經(jīng)開(kāi)始出樣給客戶(hù)測(cè)試了。
美光目前生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存頻率為2133MHz，相比DDR3內(nèi)存普遍要在1.5-1.6V之間才能達(dá)到2000MHz以上的頻率，DDR4-2133MHz內(nèi)存只需要1.2V電壓，美光宣稱(chēng)DDR4內(nèi)存可節(jié)能40%，帶寬高達(dá)17GB/s。未來(lái)美光還會(huì)推進(jìn)更高頻率的DDR4內(nèi)存比如DDR4-2400的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)。
DDR4內(nèi)存首先會(huì)應(yīng)用在今年下半年的Haswell-E/EP處理器上，服務(wù)器版的Haswell-EP系列命名為至強(qiáng)E3-2600 v3，支持DDR4內(nèi)存是理所當(dāng)然，而桌面版的Haswell-E不僅是原生8核，還會(huì)帶來(lái)XMP 2.0規(guī)范，X99芯片組也會(huì)支持DDR4內(nèi)存，這一點(diǎn)已為Intel官方確認(rèn)。
除了美光之外，其他DRAM芯片廠(chǎng)商如SK Hynix、三星以及內(nèi)存廠(chǎng)商很早也宣布了DDR4內(nèi)存，特別是三星，去年就宣布量產(chǎn)DDR4內(nèi)存了。
還有就是平臺(tái)支持方面，Intel首先會(huì)在Haswell-E/EP上支持DDR4內(nèi)存，不過(guò)下一代Broadwell桌面處理器還不能支持DDR4，要等明年底的Skylake系列，而AMD平臺(tái)支持DDR4內(nèi)存要等明年的Carrizo APU，Excavator（挖掘機(jī)）核心的CPU才會(huì)支持DDR4內(nèi)存?！?/P>
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