TLC閃存也會(huì)有V-NAND版 850 Evo要來了
泡泡網(wǎng)SSD固態(tài)硬盤頻道8月7日 三星的V-NAND隨著850 Pro的發(fā)布開始正式進(jìn)入消費(fèi)級(jí)市場，目前的V-NAND是第二代，最大32層堆疊，NAND基礎(chǔ)還是40nm工藝的MLC閃存，剛剛測試得出的P/E次 數(shù)達(dá)到了6000次，可靠性還不錯(cuò)。但是，以三星的鳥性，TLC閃存怎么可能放過V-NAND，三星有計(jì)劃把TLC閃存也做成V-NAND那樣的3D堆疊，或許不久之后我們就能見到850 Evo固態(tài)硬盤了。
用不了多久，我們就可以看到TLC閃存的850 EVO取代840 EVO了
在前不久三星的SSD全球會(huì)議上，Techreport得知三星有計(jì)劃推出3bit V-NAND，只不過三星在透露消息方面一貫很小氣，就是不肯說具體細(xì)節(jié)，不過TR表示在第二代V-NAND發(fā)布會(huì)上三星提到了今年底會(huì)推出容量密度更高的硬盤，或許指的就是這個(gè)TLC版的V-NAND閃存。具體命名也不確定，不過慣例可能會(huì)用850或者850 EVO這樣的名字。
雖然TLC名聲不是很好，但是TLC閃存對(duì)提高容量密度、降低成本大有裨益，而性能、可靠性上的問題可以通過其他方式彌補(bǔ)，比如三星的840 EVO就使用了SLC緩存的方式改善了寫入速度，所以只要技術(shù)成熟，NAND廠商們還是會(huì)上TLC閃存的，三星起了頭，美光很快也會(huì)跟進(jìn)。
此外，V-NAND技術(shù)在某種程度上也能改善TLC閃存的缺點(diǎn)，立體多層堆疊的封裝使得TLC閃存對(duì)制程的要求沒有這么高了，還可以減少干擾，這也有助于改善寫入性能。
總之，不管某些用戶是否接受TLC閃存，三星力推的態(tài)度是改不了的，特別是有了V-NAND技術(shù)的輔助之后，TLC閃存的一些缺點(diǎn)更有了明顯改善，三星遲早會(huì)推TLC版的V-NAND閃存，快的話今年底就能見到850 EVO這樣的產(chǎn)品了。
可以預(yù)想，一旦TLC閃存的V-NAND硬盤上市，屆時(shí)又免不了引起很多爭議。TLC閃存理論上壽命會(huì)少很多，不過新技術(shù)的進(jìn)度也不可阻擋，對(duì)TLC閃存唯一的質(zhì)疑應(yīng)該是：如果它的成本比MLC更低，為何市面上的TLC硬盤相對(duì)MLC硬盤并沒有價(jià)格優(yōu)勢呢?三星解決了這個(gè)問題才更有利于TLC閃存為人廣泛接受。
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