未來內(nèi)存希望 IBM和TDK攜手研發(fā)MRAM
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近期，IBM和TDK兩公司宣布將攜手研發(fā)大容量、高密度的MRAM，以推動MRAM（磁阻內(nèi)存）的量產(chǎn)和市場推廣。聯(lián)合研發(fā)計劃的重點是開發(fā)高容量、高密度的磁阻內(nèi)存電路，他們將研究如何應用自旋動量轉移來生產(chǎn)體積更小的數(shù)據(jù)存儲單元。IBM公司與TDK公司聯(lián)合研發(fā)計劃為期四年，將在IBM公司和TDK公司的多個研究機構內(nèi)進行，其中包括TDK公司在美國加州Milpitas市的研發(fā)中心。
MRAM被認為是未來的內(nèi)存，使用它我們可以迅速開啟電腦，況且每次啟動時無須向內(nèi)存中加載軟件。將來如果磁阻內(nèi)存獲得推廣，我們將可以在幾秒鐘之內(nèi)啟動電腦系統(tǒng)。因為磁阻內(nèi)存的數(shù)據(jù)斷電也可自行保存，無須再從硬盤上載入。 不過，目前市場上的MRAM芯片容量僅幾兆字節(jié)，只能滿足嵌入式控制系統(tǒng)的要求，還不能滿足現(xiàn)代個人電腦的需求。
如果TDK和IBM公司的研究成功，將可以滿足生產(chǎn)體積小、容量大的芯片需求。同時，兩公司希望能夠擴大MRAM芯片的容量使其更加廣泛地應用于手機和手持電腦中。業(yè)內(nèi)人士預計，磁阻內(nèi)存將取代今天所有的內(nèi)存和閃存產(chǎn)品。
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