4.8GHz頻率XDR內(nèi)存 性能是DDR2的6倍
根據(jù)Rambus的說法，多核心處理器對(duì)內(nèi)存帶寬的要求最高可達(dá)100GB/s，而DDR2僅能提供12.8GB/s，DDR3也只有25.6GB/s，XDR架構(gòu)則可立即提升到102GB/s，這說明XDR內(nèi)存無疑是非常先進(jìn)的。近日，爾必達(dá)宣布推出頻率高達(dá)4.8GHz的Rambus XDR內(nèi)存芯片，其性能可達(dá)當(dāng)今業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)DDR2內(nèi)存的6倍。
爾必達(dá)的4.8GHz XDR DRAM芯片采用70nm工藝生產(chǎn)，104-ball FBGA封裝，容量512MB，8-Banks，峰值數(shù)據(jù)傳輸帶寬9.6GB/s，而目前最流行的DDR2-800僅有1.6GB/s。為了同時(shí)達(dá)到高頻率和高帶寬，XDR DRAM使用了多項(xiàng)最新技術(shù)，如差分RAMBUS信號(hào)鏈路(DRSL)、八倍速率傳輸(ODR)、彈性相位(FlexPhase)、自適應(yīng)阻抗匹配、動(dòng)態(tài)請(qǐng)求調(diào)度、零刷新占用等等。
爾必達(dá)和Rambus聲稱這種高規(guī)格XDR內(nèi)存芯片適用于高清電視機(jī)、游戲主機(jī)、PC、服務(wù)器、工作站等領(lǐng)域，不過迄今為止，XDR內(nèi)存技術(shù)的主要客戶還只有索尼的PS3游戲機(jī)，其銷量的九成都得益于PS3。爾必達(dá)這種512Mb 4.8GHz XDR DRAM芯片定于2007年12月開始試產(chǎn)，2008年4月投入量產(chǎn)，編號(hào)“EDX5116ADSE-5E-E”。
目前，只有三星、奇夢(mèng)達(dá)和爾必達(dá)通過授權(quán)采用了XDR架構(gòu)。
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