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業(yè)界首款:2GB DDR3 DRAM顆粒研發(fā)成功

   隨著科技與信息的發(fā)展，硬盤、內(nèi)存都朝大容量方向發(fā)展。近期，美光宣布了業(yè)界首款2GB DDR3 DRAM顆粒研發(fā)成功，應用該顆粒，內(nèi)存廠商可以制造出8GB或16GB的服務器內(nèi)存條，或4GB容量的臺式機、筆記本內(nèi)存。

采用鎂光D9顆粒的內(nèi)存

    此款產(chǎn)品商用投產(chǎn)預計在2008年第一季度完成。該顆粒使用78nm制程，數(shù)據(jù)傳輸率達到1333Mbps，電壓1.5到1.8伏。根據(jù)IDC的預計，到明年年底，全世界臺式PC的平均容量將達到2.1GB，筆記本電腦也會有1.8GB，x86服務器的內(nèi)存平均容量更將達到11.2GB。大容量顆粒的出現(xiàn)必然會促進內(nèi)存容量的進步過程，也會反過來加速64位操作系統(tǒng)的普及。