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更大更快!回顧DDR內(nèi)存的前世今生,一代更比一代強(qiáng)

  如果你問(wèn)你身邊的親朋好友有關(guān)電腦的硬件知識(shí)時(shí),他們或許會(huì)不熟悉顯卡的各類型號(hào),又或者在看到CPU的各種數(shù)字型號(hào)時(shí)一頭霧水,問(wèn)起機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤的區(qū)別時(shí)可能也說(shuō)不上什么。但是有關(guān)內(nèi)存,大家或多或少都聽(tīng)過(guò)一點(diǎn)點(diǎn),至少知道這個(gè)東西肯定是越大越好的。

  可能由于內(nèi)存這個(gè)概念不止出現(xiàn)在電腦中,各種的數(shù)碼設(shè)備在硬件參數(shù)上都能看到它的身影。在生活里,往往經(jīng)常能聽(tīng)到那些不了解電腦的人,在裝電腦時(shí)會(huì)要求“我的電腦內(nèi)存給我裝大一點(diǎn)”這樣的說(shuō)法。直到今天,內(nèi)存和硬盤這兩個(gè)存儲(chǔ)設(shè)備在電腦中都有著非常重要的地方。

  與大容量的硬盤不同,內(nèi)存在存取速度上有著非常驚人的表現(xiàn),不過(guò)由于斷電后不能保存存入信息的特點(diǎn)。在電腦長(zhǎng)期發(fā)展的歷史長(zhǎng)河中,內(nèi)存一直扮演著資源中轉(zhuǎn)站的角色。從最遠(yuǎn)古的SIMM到如今的DDR,再到現(xiàn)在以DDR為基礎(chǔ)進(jìn)行迭代,內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)以及規(guī)格也發(fā)生了很大的變化。太過(guò)久遠(yuǎn)的內(nèi)存歷史我們就不深入回顧了,這次我們來(lái)了解下DDR內(nèi)存的發(fā)展歷程。

  最初的電腦是沒(méi)有內(nèi)存條的,內(nèi)存是直接以DIP芯片的形式安裝在主板的DRAM插座上的。盡管在當(dāng)時(shí)可以滿足電腦的需求,但這樣的方式擴(kuò)展相當(dāng)?shù)睦щy。于是,內(nèi)存條就應(yīng)運(yùn)而生了。

  中間內(nèi)存條經(jīng)歷過(guò)幾次迭代置換,中間的歷史我們就不詳細(xì)講了,隨著CPU的升級(jí),內(nèi)存技術(shù)也發(fā)生了大革命,內(nèi)存也迎來(lái)了經(jīng)典的SDR SDRAM時(shí)代。一條SDRAM就能夠讓電腦正常運(yùn)行,這樣大大降低了內(nèi)存的購(gòu)買成本,在傳輸速度上相比以往也是大幅提升。

  后來(lái),“膨脹”的Intel聯(lián)合Rambus共同定制了Rambus DRAM內(nèi)存規(guī)范,希望創(chuàng)造出市面上更高速的內(nèi)存產(chǎn)品。然而Rambus DRAM并沒(méi)有獲得市場(chǎng)的認(rèn)可,被價(jià)格更低的SDRAM踩在腳下。彼時(shí)的市場(chǎng)SDR SDRAM已經(jīng)盡顯老態(tài),急需新的標(biāo)準(zhǔn)才能繼續(xù)前進(jìn),于是我們也看到了故事的主人公:DDR SDRAM。

  DDR

  DDR SDRAM,中文名為雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。作為SDR SDRAM的升級(jí)版,它的數(shù)據(jù)傳輸速度是SDR SDRAM的兩倍,且在功耗上沒(méi)有增加。采用了184Pin的DIMM插槽,防呆缺口從SDR SDRAM時(shí)的兩個(gè)變成一個(gè)。

  初代DDR內(nèi)存的頻率是200MHz,隨后慢慢誕生了DDR-266、DDR-333和那個(gè)時(shí)代主流的DDR-400,當(dāng)然后面還有更高的超頻條。DDR內(nèi)存剛出來(lái)的時(shí)候只有單通道,后來(lái)出現(xiàn)了支持雙通道的芯片組,讓內(nèi)存的帶寬直接翻倍,容量則是從128MB增加到1GB。

  DDR2

  DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是,雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降沿同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑獶DR2內(nèi)存卻擁有兩倍以上于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力。

  DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。DDR2的頻率從400MHz到1200MHz,當(dāng)時(shí)的主流的是DDR2-800,更高頻率其實(shí)都是超頻條,容量從256MB起步到最大4GB。

  DDR3

  DDR3提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運(yùn)行效能與更低的電壓,是DDR2 SDRAM的后繼者。和上一代相比,DDR3在許多方面作了新的規(guī)范,核心電壓降低到1.5V,預(yù)取從4-bit變成了8-bit。這也是DDR3提升帶寬的關(guān)鍵,同樣的核心頻率DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬。

  DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口,不過(guò)兩者的防呆缺口位置是不同的,不能混插。容量上從512MB到8GB,當(dāng)然也有單條16GB的內(nèi)存條。頻率方面從800MHz起步,一般能買到的最高頻率為2400MHz,也有廠商推出了特挑3100MHz的DDR3內(nèi)存。

  DDR4

  相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn):16bit預(yù)取機(jī)制(DDR3為8bit),同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍;更可靠的傳輸規(guī)范,數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升;工作電壓降為1.2V,更節(jié)能。

  DDR4內(nèi)存的針腳從DDR3的240個(gè)提高到了288個(gè),防呆缺口與DDR3的位置也不同。此外,還有一點(diǎn)與眾不同的改變,就是DDR4的金手指是中間高兩側(cè)低并且有輕微的曲線,此前的內(nèi)存金手指都是平直的。DDR4在保持與DIMM插槽有足夠的信號(hào)接觸面積的同時(shí),也能在移除內(nèi)存的時(shí)候比DDR3更加輕松。頻率方面從2133MHz起步,最高可以達(dá)到4200MHz,單條容量有4GB、8GB和16GB。

  DDR5

  作為DDR內(nèi)存的最新標(biāo)準(zhǔn),大部分廠商在2018年開(kāi)始就研發(fā)相關(guān)DDR5產(chǎn)品。首款推出的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品在起跳頻率上就是4800MHz,對(duì)比DDR4可是作了相當(dāng)大的提升。

  全新DDR5標(biāo)準(zhǔn)將提供兩倍于上代的性能并大大提高電源效率。在全新DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下,最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣饶苓_(dá)到6.4Gbps,而在DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)下最高內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_(dá)到3.2Gbps。DDR5也改善了DIMM的工作電壓,將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V,能夠進(jìn)一步提升內(nèi)存的能效表現(xiàn)。

  在內(nèi)存密度方面,DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將允許單個(gè)內(nèi)存芯片的密度達(dá)到64Gbit,這比DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的16Gbit密度高出4倍。如此高的內(nèi)存密度,再結(jié)合多芯片封裝技術(shù),可以實(shí)現(xiàn)最高40個(gè)單元的堆疊,可以期待未來(lái)的DDR5內(nèi)存在單條容量上就將會(huì)非??捎^。

  即將推出的英特爾13代酷睿以及AMD 7000系列CPU,都開(kāi)始聚焦于DDR5內(nèi)存。在未來(lái)DDR5內(nèi)存也會(huì)逐步普及并漸漸取代DDR4內(nèi)存的存在。影馳為此也提前布局未來(lái),為用戶帶來(lái)性能更強(qiáng)的DDR5內(nèi)存條。

  GAMER RGB DDR5內(nèi)存,影馳優(yōu)選高頻內(nèi)存之一。性能強(qiáng)勁的它,非常值得入手。最高頻率版本可達(dá)6200MHz,CL僅為32-38-38-76,容量為16G*2,屬于目前市面上性能非常優(yōu)秀的內(nèi)存型號(hào)之一。紅藍(lán)撞色設(shè)計(jì),積木元素加持,完美打造可玩性極強(qiáng)的個(gè)性化內(nèi)存。附帶可拼建積木孔設(shè)計(jì),帶來(lái)更多個(gè)性玩法。

  新的技術(shù)最終將會(huì)取代老舊的技術(shù),當(dāng)有一天還未普及DDR5內(nèi)存無(wú)法更好的滿足用戶時(shí),或許新的規(guī)劃將會(huì)出現(xiàn),引領(lǐng)著內(nèi)存走向新的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

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